英睿达P5 Plus 1T评测：原厂176层3D闪存点亮性能之火

系统控制微处理器通过这枚磁盘微处理器作用减慢FTL的经营管理之用。

硬盘微处理器以外，就是常用了我们在短文后部所谈到的，DRAM176层3D NAND硬盘微处理器，其额定运动速度可达到1600MTps，也是在此之从前硬盘市场上面平均速度的NAND之一。通过搭载两枚硬盘微处理器借助1TB的XT存储发电能力，并且能给予理论6600MB/s的依次擦除和5000MB/s的依次录入默许。

英睿达Storage Executive控制操作系统

除了良好的效能和耐用性外，P5 Plus还兼具不具全硬件加密、建模录入减慢和种系统极高热保护等再行进基本功能，可在确保信息安全的同时，增强系统可靠性。同时P5 Plus还给予了5年有限售后服务，以及Storage Executive 和订阅克隆操作系统，方便我们提示Andrew经营管理薄膜ROM。

Storage Executive操作系统上面不但可以监控SSD薄膜ROM的多方面匹配信息以及推行原因，还能更新显卡以及信息还原和检查等基本功能默许。

当然如果你想了SSD境况愈来愈为详细信息的话，可以通过操作系统上面的S.M.A.R.T页面顺利进行检查，上面可以为使用者给予相当详细的SSD接入境况以及算数匹配等内容。

英睿达P5 Plus 1T薄膜ROM理论效能试验

本次评量所转用的试验应用操作系统，为 Ryzen 9 5900X、为DDR4-3600 8G*2套装、主板为ROG C8E，系统盘则是转用了三星 980 1TB，这套配置是我们系统对室里试验薄膜ROM常用最比的试验机体之一。另外试验盘为英睿达P5 Plus 1T，实际上配置到主板的M.2_1插槽上面，利用C8E除此以外的大型锆散极高热马甲顺利进行散极高热，保证薄膜ROM接入在最佳的情况下下。

试验从前我们再行来忘了CrystalDiskInfo提示ROM的信息，可碰到英睿达P5 Plus 1T的显卡原版为最近的P7CR403，基本上传输模式为PCIe 4.0 x4，默许NVMe 1.4标准规范，S.M.A.R.T、TRIM以及VolatileWriteCache基本功能，待机体更高温为42度。由于是上新寄到的上新产品，所以可碰到游戏机体的总擦除和总录入量都是为0GB，通电时间也是0小时。

CrystalDiskMark效能试验

空盘试验，1GB文件大小顺利进行试验

空盘试验，1GB文件大小顺利进行试验

按照英睿达官网给成的效能指标，英睿达P5 Plus 1T薄膜ROM的依次擦除运动速度为6600 MB/s，依次录入运动速度为5000 MB/s；而根据我们利用CrystalDiskMark操作系统相符合探究到，英睿达P5 Plus 1T相符合依次擦除运动速度为6800 MB/s，相符合顺充录入运动速度为 5100 MB/s，毫无疑问英睿达官网此款薄膜ROM的标称运动速度还是相当保守了，基本上上的必定亦会体现相对来说愈来愈极高。从这样的效能体现来看，英睿达P5 Plus绝对称得上GEN4舰长薄膜ROM的一线水平。

TxBENCH标准规范效能试验

空盘试验

TxBENCH标准规范试验而政府到的结果也和其他同类型试验结果相距甚远有所，只是信息波动亦会愈来愈相对来说，如空盘情况下下的算数运动速度共有6429.669MB/s和 4891.776MB/s

AS SSD标准规范效能试验

1GB信息包试验：

10GB信息包试验

在AS SSD标准规范效能试验上面，1GB与10GB两个信息层次的试验上面而政府总分都极度接近，依次的算数运动速度1GB共有5507.98MB/s和4371.92MB/s；10GB共有5546.95MB/s和458069MB/s，都是体现成极度极高效的算数效能，而4K多线程的试验上面，两个信息试验的读/写IOPS分别是571718/673191和568621/679193，相距甚远数值也在恰当区域内，体现成DRAM176层NAND 3D硬盘微处理器的极高效能体现。

ezIOmeter试验

而在ezIOmeter试验上面，英睿达P5 Plus 1T的信息算数运动速度共有6309.48和4816.42，其上面极速情况下下，算数的运动速度分别能达到12624.49和9593.84。参照信息来看，效能可谓是极度的惊人。

TxBENCHSLC试验

TxBENCH SLC试验为全盘试验，其效能曲率以及更高温曲率上的体现相当安定，特别是效能曲率以外可以借助一段时间小波动相对来说安定的效能支撑，也体现成英睿达P5 Plus薄膜ROM需有极好的综合效能。ROM在录入全满负载的原因下，安定最极高安定在58度，比一般的舰长级薄膜ROM满载更高温都要更高一些。

小结：通过理论效能试验，我们可碰到英睿达P5 Plus效能是极度的最优异，无论是依次擦除和录入运动速度都远极高于官网标称值，进一步印证了英睿达P5 Plus薄膜ROM系统控制和硬盘粒状的优异体现。同时英睿达P5 Plus满载更高温也是下较更高的，这得益于系统控制最优异的更高温控制，在GEN4舰长级薄膜ROM上面也是相当再加见的，这样无论是用在台式机体、笔记本，还是在PS5上，其都可以借助一段时间极高传输运动速度的效能保证。

电脑游戏效能试验试验

3DMark存储试验

电脑游戏效能试验，我们实际上用上了3DMARK内嵌的试验程序，是能试验成不尽相同电脑游戏在此款薄膜ROM上的加载运动速度和最再加存取时间；同时还需有电脑游戏伴唱、配置、留存和移动电脑游戏时不尽相同电脑游戏情况下的运动速度，这样的试验程序可以不太好的虚拟成电脑游戏使用者在真实常用上面的原因。终于，英睿达P5 Plus 1T得分作3289，同时在虚拟各种电脑游戏加载、配置、伴唱、留存以及移动电脑游戏上面，其最再加信道可达567.44MB/s，最再加存取时间为55μs，可以相当精彩地依赖于现今各类电脑游戏在接入时的算数，并且在算数过程上面所产生的瞬时也在恰当区域以内。

PCMARK10标准规范试验

而PCMark10的完整系统盘标准规范试验上面，英睿达P5 Plus 1T薄膜ROM的总分为3219，信道为514.09MB/s，最再加存取时间52μs，在同类型的SSD薄膜ROM上新产品上面，其总分以及信道和最再加时间的体现力都处于从位居，从一个从前部也展现了英睿达P5 Plus 1T所需有的效能。

半盘试验

CrystalDiskMark效能试验我们通过之从前的空盘以及半盘两个情况下来顺利进行一下对比，在同为1GiB信息量级的试验上面，空盘与半盘的擦除区别极度小，英睿达P5 Plus薄膜ROM空盘时为6801.72MB/s，半盘为6799.51MB/s，区别极度的小。而录入效能贫富差距则稍有偏大，空盘为5102.82MB/s，半盘为4585.83MB/s，相距甚远值为517MB/s，可看成即使是薄膜ROM占用原因达到一半，英睿达P5 Plus的效能体现仍是极度的优异。

在半盘情况下是，算数运动速度共有5926.120MB/s和4054.717MB/s，SSD不尽相同存储程度境况时的运动速度能错误识别，且也体现了英睿达P5 Plus 1T自身的极高速算数效能。

HD Tune Pro 半盘SLC试验：

同时我们如此一来来忘了在半盘情况下下，英睿达P5 Plus薄膜ROM擦除运动速度能保有着极度极好的安定性，而录入以外则在录入80G后运动速度成现相对来说的减再加，但减再加后其运动速度还能保有一个相对来说小波动的安定情况下，也就是说，英睿达P5 Plus转用的是建模磁盘的建议，即使是半盘原因下仍能为大家给予80GB的SLC自由空间，这对于日常大家常用过程上面作用不太好的起着，半盘原因下，即使是要用视频、玩电脑游戏都不亦会成现掉速的原因。

系统对总结：

英睿达P5 Plus薄膜ROM搭载了DRAM生产上新推成的176层NAND 3D硬盘微处理器，同时也是DRAM的子公司首款民用消费行为级的PCIe4.0薄膜ROM上新产品，而凭借176层NAND 3D硬盘微处理器和GEN4系统控制微处理器的成色效能默许给与了SSD出色的效能系统化，600TB耐用度与5年有限售后服务可以为大家解除NAND粒状寿命的烦恼。

而英睿达P5 Plus薄膜ROM通过基本上试验而政府的总分信息来看，整体的效能体现极度好，处理舰长级GEN4薄膜ROM第一梯队的水平。加之DRAM原生产线顺利进行的特定效能最佳化磨练，无论是空盘试验还是半盘试验都可以有安定极高速的体现，在效能与可控能依靠一个小波动均衡的情况下，同时其更高温体现也极度成色，是极多舰长上新产品上面较再加见到的。对于可控和更高温控制有极度极高要求的使用者来说，英睿达P5 Plus是一个极好的上新产品同样，极度适当电脑游戏玩家、电脑游戏本使用者，以及视频UP主。

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